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igbt主要特点

日期:2021-10-19 01:28
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摘要:
igbt主要特点
动态特性
  动态特性又称开关特性,igbt的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。
  IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为igbt总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示::
  Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
  式中Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为0.7 ~1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Roh ——沟道电阻。
  通态电流Ids 可用下式表示:
  Ids=(1+Bpnp)Imos
  式中Imos ——流过MOSFET 的电流。

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